{image1}
Мощность достигается преимущественно благодаря полевому МОП-транзистору (MOSFET) с высоким током, состоящему из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида кремния. Комбинируемый с суперконденсатором, он способен выдержать гораздо большую мощность, благодаря чему теперь мобильные устройства смогут сохранить те же компактные размеры и при этом мощность, сопоставимую с ксеноновыми вспышками, которые обладают гораздо большими габаритами.
Пользователи или компании смогут самостоятельно регулировать мощность вспышки в рамках восьми различных уровней, а также включать режим постоянной подсветки. Тестовые образцы уже отправились к производителям, тогда как полноценное производство ожидается уже до конца марта. О клиентах на новые чипы компания STMicro пока не рассказывает, сообщаются лишь общие данные о том, что "ведущие производители смартфонов" готовы к использованию.
По материалам electronista.com
